IBM pracuje nad pamięciami nowej generacji
20 sierpnia 2007, 10:03IBM i TDK wspólnie pracują nad nowym rodzajem pamięci nieulotnej o nazwie spin torque transfer RAM (STT-RAM). Jednocześnie IBM przyznał, że nie widzi przyszłości przed technologią MRAM, nad którą dotychczas pracował.
Samsung rozpocznie produkcję układów PRAM
5 maja 2009, 10:57W czerwcu Samsung Electronics rozpocznie masową produkcję pamięci PRAM (phase change RAM). Układy PRAM to zmiennofazowe kości RAM.
Bardziej gęste NAND-y
12 sierpnia 2009, 10:56Jeszcze w bieżącym roku Intel i Micron rozpoczną masową produkcję układów pamięci NAND, w których w każdej z komórek będą przechowywane trzy bity informacji. Obecnie pamięci NAND, wykorzystywane np. w telefonach komórkowych, odtwarzaczach MP3 czy klipsach USB, potrafią przechowywać 1-2 bity.
Gwałtownie rosną ceny układów pamięci
6 września 2013, 10:55Po niedawnym pożarze w fabryce Hyniksa, drugiego po Samsungu największego producenta kości pamięci, ceny układów pamięci wzrosły średnio o 19%. Pożar zniszczył fabrykę w Wuxi w pobliżu Szanghaju.
Superszybkie DDR4
19 sierpnia 2015, 09:18Podczas IDF 2015, odbywających się w San Francisco, firma G.Skill zaprezentowała swoje najszybsze kości DDR4. W ramach serii TridentZ powstały zestawy DDR4 4266MHz 8GB (2x4GB) oraz DDR4 4133MHz 8GB (2x4GB)
Nowy kontroler i tańsze SSD
7 stycznia 2016, 10:31Podczas rozpoczętych właśnie targów CES 2016 Marvell zaprezentuje kontroler dla SSD, który współpracuje z protokołem NVMe v. 1.2. Protokół ten pozwala na wykorzystanie pamięci RAM komputera w roli pamięci cache SSD
Trwają testy 80-rdzeniowego procesora
12 lutego 2007, 12:02Intel przekazał kolejne informacje, dotyczące 80-rdzeniowego procesora, o którym pisaliśmy przed kilkoma miesiącami. Okazuje się, że firma ma już testowy model układu.
Chiny będą miały własne układy 3D NAND
19 stycznia 2017, 11:55Chińska Yangtze River Storage Technology oznajmiła, że pracuje nad własną technologią pamięci 3D NAND. Przedsiębiorstwo nie poinformowało, kiedy rozpocznie produkcję nowych kości
Ruszyła masowa produkcja 60-nanometrowych kości DRAM
4 marca 2007, 11:23Samsung Electronics rozpoczął masową produkcję pierwszych w historii 1-gigabitowych kości DDR2 wykonanych w technologii 60 nanometrów. Wdrożenie nowego procesu technologicznego oznacza 40% wzrost wydajności produkcji w porównaniu z technologią 80 nanometrów.
Nieulotne pamięci FRAM dla przemysłu motoryzacyjnego
3 lutego 2017, 06:25Fujitsu przystosowało nowy rodzaj pamięci nieulotnej FRAM (Ferroelectric Random-Access Memory) do potrzeb rynku motoryzacyjnego. Japoński koncern poinformował, że jego nowy chip MB85RS256TY pracuje w pełnym zakresie temperatur wymaganych przez przemysł motoryzacyjny (od 125 do -40 stopni Celsjusza)
